300um InGaAs Photodiode Chip
  • 300um InGaAs Photodiode Chip300um InGaAs Photodiode Chip

300um InGaAs Photodiode Chip

Το 300um InGaAs Photodiode Chip προσφέρει εξαιρετική απόκριση από 900nm έως 1700nm, ιδανικό για τηλεπικοινωνίες και ανίχνευση σχεδόν υπερύθρων. Η φωτοδίοδος είναι ιδανική για εφαρμογές υψηλού εύρους ζώνης και ενεργής ευθυγράμμισης.

Αποστολή Ερώτησης

περιγραφή προϊόντος

1. Σύνοψη του 300um InGaAs Photodiode Chip

Το 300um InGaAs Photodiode Chip προσφέρει εξαιρετική απόκριση από 900nm έως 1700nm, ιδανικό για τηλεπικοινωνίες και ανίχνευση σχεδόν υπερύθρων. Η φωτοδίοδος είναι ιδανική για εφαρμογές υψηλού εύρους ζώνης και ενεργής ευθυγράμμισης.

2. Εισαγωγή του 300um InGaAs Photodiode Chip

Το 300um InGaAs Photodiode Chip προσφέρει εξαιρετική απόκριση από 900nm έως 1700nm, ιδανικό για τηλεπικοινωνίες και ανίχνευση σχεδόν υπερύθρων. Η φωτοδίοδος είναι ιδανική για εφαρμογές υψηλού εύρους ζώνης και ενεργής ευθυγράμμισης.

3. Χαρακτηριστικά του 300um InGaAs Photodiode Chip

Εύρος ανίχνευσης 900nm-1650nm.

Υψηλή ταχύτητα;

Υψηλή ανταπόκριση.

Χαμηλή χωρητικότητα;

Χαμηλό σκοτεινό ρεύμα.

Πάνω φωτιζόμενη επίπεδη δομή.

4. Εφαρμογή 300um InGaAs Photodiode Chip

Παρακολούθηση;

Όργανα οπτικών ινών.

Επικοινωνίες Δεδομένων.

5. Απόλυτες μέγιστες βαθμολογίες τσιπ φωτοδιόδου 300um InGaAs

Παράμετρος Σύμβολο αξία Μονάδα
Αντίστροφη τάση VRmax 20 V
Μπροστινό ρεύμα - 10 mA
Θερμοκρασία λειτουργίας Τοπρ -40 έως +85
Θερμοκρασία αποθήκευσης Tstg -55 έως +125

6. Ηλεκτροοπτικά Χαρακτηριστικά (T=25℃) τσιπ φωτοδιόδου 300um InGaAs

Παράμετρος Σύμβολο Κατάσταση Ελάχ. Τυπ. Μέγιστη. Μονάδα
Εύρος μήκους κύματος λ   900 - 1650 nm
ανταπόκριση R λ =1310nm 0.85 0.90 - A/W
λ =1550nm - 0.95 -
λ =850nm - 0.20 -
Σκοτεινό ρεύμα ταυτότητα Vr=5V - 1.0 5.0 nA
Χωρητικότητα C VR=5V, f=1MHz - 4.2 6.0 pF
Εύρος ζώνης Bw 3dB κάτω, RL=50Ω - 1.8 - GHz

7. Παράμετρος Διάστασης Τσιπ Φωτοδιόδου 300um InGaAs

Παράμετρος Σύμβολο αξία Μονάδα
Διάμετρος ενεργού περιοχής D 300 χμ
Διάμετρος συγκολλητικού μαξιλαριού - 80 χμ
Μέγεθος μήτρας - 420x420 χμ
Πάχος μήτρας t 180±20 χμ

8. Παράδοση, αποστολή και εξυπηρέτηση τσιπ Photodiode 300um InGaAs

Όλα τα προϊόντα έχουν δοκιμαστεί πριν από την αποστολή.

Όλα τα προϊόντα έχουν 1-3 χρόνια εγγύηση. (Μετά την περίοδο εγγύησης ποιότητας άρχισε να χρεώνεται το κατάλληλο τέλος συντήρησης.)

Εκτιμούμε την επιχείρησή σας και προσφέρουμε μια στιγμιαία πολιτική επιστροφής 7 ημερών. (7 ημέρες μετά την παραλαβή των αντικειμένων).

Εάν τα προϊόντα που αγοράζετε από το κατάστημά μας δεν είναι τέλειας ποιότητας, δηλαδή δεν λειτουργούν ηλεκτρονικά σύμφωνα με τις προδιαγραφές του κατασκευαστή, απλώς επιστρέψτε τα σε εμάς για αντικατάσταση ή επιστροφή χρημάτων.

Εάν τα στοιχεία είναι ελαττωματικά, ενημερώστε μας εντός 3 ημερών από την παράδοση.

Οποιαδήποτε αντικείμενα πρέπει να επιστραφούν στην αρχική τους κατάσταση για να πληρούν τις προϋποθέσεις για επιστροφή χρημάτων ή αντικατάσταση.

Ο αγοραστής είναι υπεύθυνος για όλα τα έξοδα αποστολής.

8. Συχνές ερωτήσεις

Ε: Ποια είναι η ενεργή περιοχή που θα θέλατε;

Α: έχουμε ενεργή περιοχή 0,3mm 0,5mm 1mm 2mm InGaAs Photodiode Chip.

Ε: Ποια είναι η απαίτηση για τον σύνδεσμο;

Α: Το Box Optronics μπορεί να προσαρμόσει σύμφωνα με τις απαιτήσεις σας.

Hot Tags: Τσιπ 300um InGaAs Photodiode, Κατασκευαστές, Προμηθευτές, Χονδρική, Εργοστάσιο, Προσαρμοσμένο, Χύμα, Κίνα, Κατασκευασμένο στην Κίνα, Φθηνό, Χαμηλή τιμή, Ποιότητα

Σχετική Κατηγορία

Αποστολή Ερώτησης

Μη διστάσετε να δώσετε το ερώτημά σας στην παρακάτω φόρμα. Θα σας απαντήσουμε σε 24 ώρες.
X
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept